本發(fā)明提供一種用于化合物半導(dǎo)體器件的化學(xué) 拋光腐蝕液,該腐蝕溶液是選擇雙氧水為氧化劑,鹽 酸為絡(luò)合劑,按體積比為HCl∶H2O2=(2~6)∶1 配制的混合溶液,CdTe、GaAs化合物半導(dǎo)體器件經(jīng) 過這種腐蝕溶液化學(xué)拋光,都能制備出性能優(yōu)良的核 輻射探測器。使用該腐蝕液對環(huán)境無污染、操作簡 單,用去離子水可直接淬滅,因此成本低,有廣泛推廣 應(yīng)用價值。
聲明:
“化合物半導(dǎo)體化學(xué)拋光腐蝕液” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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