本發(fā)明提供了一種化學(xué)機(jī)械拋光模擬方法,包括,選擇集成電路版圖中的任意一根互連線為研究對(duì)象;以所述研究對(duì)象為基準(zhǔn),在所述集成電路版圖所在的平面內(nèi),分別向所述研究對(duì)象的至少四個(gè)方向延展一個(gè)平坦化長(zhǎng)度,形成所述研究對(duì)象的劃分窗格;提取所述研究對(duì)象的劃分窗格中版圖結(jié)構(gòu)的特征參數(shù),所述特征參數(shù)至少包括等效密度、等效線寬和等效間距中的兩個(gè);根據(jù)所述特征參數(shù),采用化學(xué)機(jī)械拋光模型進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光模擬;得到所述研究對(duì)象的金屬碟形和/或介質(zhì)侵蝕模擬結(jié)果。這種模擬方法使得CMP模擬過程更加準(zhǔn)確,更加符合CMP的物理化學(xué)機(jī)理,從而能夠得到更加精確的CMP模擬后
芯片表面形貌,確保芯片良率和性能預(yù)測(cè)的準(zhǔn)確性。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械拋光模擬方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)