一種控制化學氣相沉積腔室內的基底加熱的裝置及方法,尤其適用于MOCVD反應室。裝置包括:位于腔室內的加熱器;位于腔室內加熱器附近且與加熱器相間隔開的托盤,用于承載基底;第一溫度控制單元,與承載基底的托盤表面耦接,用于測量該托盤表面溫度,基于設定溫度和托盤表面溫度輸出第一控制信號;第二溫度控制單元,與第一溫度控制單元相連,用于測量托盤和加熱器之間區(qū)域的中間溫度,還用于根據第一控制信號和中間溫度輸出第二控制信號;加熱器,與第二溫度控制單元耦接,用于根據第二控制信號進行加熱。相應地,本發(fā)明還提供一種控制化學氣相沉積腔室內的基底加熱的方法。本發(fā)明可以獲得穩(wěn)定的基底溫度。
聲明:
“控制化學氣相沉積腔室內的基底加熱的裝置及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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