單片三腔式紅外加熱超高真空化學(xué)氣相淀積外延系統(tǒng)屬于超大規(guī)模集成電路薄膜外延生長和超晶格薄膜材料生長技術(shù)領(lǐng)域,除了高真空機(jī)組、氣路裝置、尾氣處理裝置、測溫控溫裝置、加熱電源、計(jì)算機(jī)控制裝置以外,其特征在于,它含有:反應(yīng)腔;用于取放樣片的預(yù)裝片腔,該腔的前端經(jīng)一個(gè)高真空閥門與裝片腔隔離,在該腔后端有一個(gè)磁傳動(dòng)樣片片架,以便在該高真空閥門打開時(shí)把樣片片架上所預(yù)裝的樣片從預(yù)裝片腔傳送到裝片腔,該預(yù)裝片腔上端是一個(gè)具有高真空密封圈密封的翻蓋門;裝片腔:它含有氣缸驅(qū)動(dòng)的樣片升降臺(tái),取放樣片機(jī)械手以及與之相連的磁傳動(dòng)桿。本發(fā)明具有樣片外延薄膜均勻性好、質(zhì)量高和外延生產(chǎn)效率高的優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“單片三腔式紅外加熱超高真空化學(xué)氣相淀積外延系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)