本發(fā)明提供一種用于監(jiān)測(cè)并控制反應(yīng)濺射沉積的方法和裝置。該方法和裝置尤其可用于使用對(duì)金屬靶進(jìn)行濺射的大功率磁控管的化學(xué)計(jì)量介電化合物(例如,金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物等)在各種基底上的高速沉積,所述濺射包括使用較短的靶(陰極)電壓脈沖(通常40μs至200μs)且具有高達(dá)數(shù)kWcm-2的靶功率密度的大功率脈沖磁控濺射。對(duì)于給定的標(biāo)稱靶功率水平、靶材料和源氣體而言,在由電源所保持的恒定靶電壓下對(duì)反應(yīng)性氣體進(jìn)入真空室的脈沖流速進(jìn)行控制,以促進(jìn)化學(xué)計(jì)量介電薄膜在“金屬模式”與“覆蓋(中毒)模式”之間的過(guò)渡區(qū)中的濺射沉積。
聲明:
“化學(xué)計(jì)量介電薄膜的高速反應(yīng)濺射” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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