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多晶硅環(huán)的化學(xué)機械拋光方法

1186   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:59:01
本發(fā)明涉及一種多晶硅環(huán)的化學(xué)機械拋光方法,依次包括將硅環(huán)和無紡布拋光墊安裝在拋光機上、粗拋、精拋步驟;粗拋中的粗拋液的成分為氧化鋁(0.23?0.26μm)10%?40%,金剛石(0.32?0.34μm)0.2%?5%,水60%?90%;精拋中的精拋液成分為膠體SiO2(90?120nm)0.8%?1%,SiO2(40?45nm)0.3%?0.5%,哌嗪0.08%?0.12%,氫氧化四甲基銨0.01%?0.05%,純水>98%;在粗拋過程中將含有納米金剛石的拋拋液分散在無紡布拋光墊上,粗拋液中氧化鋁微粉能夠降低硅環(huán)表面粗糙度,減小亞表面損傷層深度,提高拋光效率,在精拋過程中,精拋液能夠?qū)崿F(xiàn)化學(xué)作用與機械作用的良好匹配,保證拋光硅晶片高去除速率的同時,避免拋光霧等缺陷的形成,提高拋光后表面質(zhì)量,拋光方法后硅環(huán)平面度<20μm,破損層DOD=0um,經(jīng)檢測拋光合格。
聲明:
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