本公開提供了一種基于多重自由網(wǎng)格的化學(xué)機(jī)械研磨工藝缺陷處理方法,包括:步驟A.版圖讀入;步驟B.CMP模擬,初步確定CMP局部缺陷產(chǎn)生條件;步驟C.根據(jù)步驟B進(jìn)行CMP敏感區(qū)域的提取,并將多邊形敏感區(qū)域分割;步驟D.在步驟C的矩形集的一個(gè)矩形敏感區(qū)域外,建立一級(jí)網(wǎng)格;步驟E.在步驟C的矩形集的一個(gè)矩形敏感區(qū)域和步驟D建立的一級(jí)網(wǎng)格間,建立二級(jí)網(wǎng)格;步驟F.等效參數(shù)提取。本公開能夠準(zhǔn)確地檢測(cè)并處理CMP工藝中的局部不平坦性問題,能夠更加準(zhǔn)確的檢測(cè)CMP工藝中的局部缺陷問題,并對(duì)檢測(cè)到的缺陷進(jìn)行處理,有效規(guī)避
芯片表面的局部區(qū)域的缺陷。
聲明:
“基于多重自由網(wǎng)格的化學(xué)機(jī)械研磨工藝缺陷處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)