本發(fā)明公開(kāi)了一種
電化學(xué)修飾電極的制備方法,包括:通過(guò)
溶液生長(zhǎng)法,在氧化銦錫導(dǎo)電基底表面沉積二氧化硅納米通道,采用含有鹽酸的乙醇溶液去除殘余的
溶液,制得二氧化硅/氧化銦錫
復(fù)合材料;采用等離子沉積法在氧化銦錫/二氧化硅表面修飾聚二甲基硅氧烷基,制得氧化銦錫/二氧化硅@聚二甲基硅氧烷電極。本發(fā)明還公開(kāi)了一種電化學(xué)修飾電極檢測(cè)咖啡因的方法制備的二氧化硅納米通道@聚二甲基硅氧烷修飾的氧化銦錫電極及其在咖啡因檢測(cè)中的應(yīng)用。本發(fā)明公開(kāi)的修飾電極對(duì)于測(cè)定既有具有疏水性又具有親水性的雙親性化合物具有高選擇性,高靈敏性且制備時(shí)間短。
聲明:
“電化學(xué)修飾電極及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)