一種半導體晶圓處理及分析裝置(20)包括一在其內緊密接收半導體晶圓(27)的處理微腔室(22)??纱蜷_該腔室供裝載與移除半導體晶圓,且接著將其關閉用于晶圓的處理,其中將化學試劑及其它流體引入該腔室。將小間隙提供于上表面、下表面與晶圓的周邊邊緣及處理腔室的對應部分之間。提供高速收集系統(tǒng)以自腔室收集及移除用過的試劑及流體用于在線或離線分析或用于廢物處理。
聲明:
“用于半導體晶圓的薄層化學處理的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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