提供了一種用于半導(dǎo)體晶片的化學(xué)機械拋光(CMP)設(shè)備的裝載裝置。所述裝載裝置包括:裝載杯,具有杯狀盆缸;杯板,安裝在盆缸中;裝載板,支撐在杯板上以能夠吸收震動并安置晶片;驅(qū)動裝置和驅(qū)動桿,在拋光裝置的平臺和軸之間水平旋轉(zhuǎn)并垂直移動裝載杯;臂,連接在裝載杯和驅(qū)動桿之間。在盆缸、杯板和裝載杯的裝載板的一個或多個相互對應(yīng)的位置處形成至少一個通孔。在處于對應(yīng)裝載杯的位置的每個通孔中插入并安裝至少一個探頭組合件,該探頭組合件用于光學(xué)檢測在晶片上的拋光點的拋光厚度。在驅(qū)動裝置的一側(cè)設(shè)置光學(xué)厚度檢測裝置,該光學(xué)厚度檢測裝置能夠?qū)⒐馐┘拥皆诰系膶由弦詸z測反射光譜波長,并以通過從所檢測的反射光譜波長之間的光譜干涉信號提取的物理量變化來檢測晶片的層厚度。在臂中設(shè)置將每個探頭組合件和厚度檢測裝置連接的光纖電纜。因此,在對先放入的晶片執(zhí)行拋光處理后和在對后續(xù)放入的晶片執(zhí)行拋光處理前,或在對同一先放入的晶片執(zhí)行后續(xù)拋光處理前,可以通過安裝在用于單步或多步拋光處理的CMP設(shè)備中的至少一個裝載裝置來測量晶片上的層的厚度,從而更快地傳輸并反映對后續(xù)晶片的拋光有用的信息,提高晶片拋光精度并簡化CMP設(shè)備的結(jié)構(gòu)。