本發(fā)明公開了一種基于深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)的封裝地過孔打孔分布優(yōu)化方法。通過對實(shí)際封裝模型的像素分析轉(zhuǎn)換成高階二元矩陣;通過深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建立了打孔位置分布到輻射屏蔽性能之間的關(guān)系并訓(xùn)練,獲得預(yù)測網(wǎng)絡(luò);通過Double DQN模型的深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)不斷打孔探索,并通過過程二的預(yù)測網(wǎng)絡(luò)反饋回饋值來訓(xùn)練深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò),完成最優(yōu)的打孔位置分布。本發(fā)明方法給出的最終優(yōu)化結(jié)果較同數(shù)量地過孔的人工打孔設(shè)計(jì)有顯著的性能和效率提升,并突破了傳統(tǒng)的處理方式,在相關(guān)電磁問題的分布式問題中具有較高的遷移性,能給出高性能的優(yōu)化分布方案。
聲明:
“基于深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)的封裝地過孔打孔分布優(yōu)化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)