一種化學(xué)機(jī)械拋光方法,包括:將待拋光的晶片放置于化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備中,對晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光,還包括通過清洗溶液對晶片進(jìn)行清洗,實(shí)時(shí)測量清洗晶片后形成的處理溶液的開路電位,在處理溶液的開路電位達(dá)到開路電位閾值時(shí),停止清洗。相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置,包括清洗單元、取樣單元、實(shí)時(shí)測量單元、閾值測量單元和控制單元。本發(fā)明可以有效減少晶片表面的有機(jī)殘留物。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械拋光的方法、用于化學(xué)機(jī)械拋光的清洗裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)