本發(fā)明特別涉及一種分析晶粒特征的方法,屬于金相分析技術(shù)領(lǐng)域,方法包括:將待分析樣品進(jìn)行預(yù)處理,得到含分析面的待濺射樣品;將所述待濺射樣品的分析面進(jìn)行輝光放電濺射處理,獲得待掃描面;將所述待掃描面進(jìn)行顯微鏡掃描,得到待掃描面的形貌數(shù)據(jù);根據(jù)所述待掃描面的形貌數(shù)據(jù),得到晶粒特征;通過輝光光譜儀輝光放電濺射金屬表面顯現(xiàn)其晶粒特征,然后使用激光顯微鏡獲取晶粒形貌分析晶粒特征;輝光放電時高能氬離子轟擊樣品表面,使樣品表面原子脫離晶格束縛,最終被濺射區(qū)域顯現(xiàn)出晶粒特征。輝光放電代替了化學(xué)腐蝕。激光顯微鏡對表面形貌分辨率較高,能較準(zhǔn)確獲取濺射后的晶粒特征。
聲明:
“分析晶粒特征的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)