本發(fā)明公開了一種使用X-射線特征譜對(duì)SiGe薄膜進(jìn)行定量分析的方法,該方法包括使用CVD(化學(xué)氣相沉積)SiGe(鍺硅)標(biāo)準(zhǔn)多層漸變薄膜作為標(biāo)準(zhǔn)樣品,使用SIMS(二次離子質(zhì)譜儀)測(cè)定其成分,并作為SiGe的X-射線特征譜(EDS)分析中的標(biāo)準(zhǔn)成分;以及由此獲得的能夠?qū)iGe工藝薄膜進(jìn)行EDS定量分析的技術(shù)方法(包括由實(shí)驗(yàn)獲得的,適用于SiGe工藝薄膜定量分析的Cliff-Lorimer因子,系數(shù)KSiGe)。本發(fā)明填補(bǔ)了SiGe薄膜項(xiàng)目和X-射線特征譜對(duì)材料定量分析的技術(shù)空白,其過程簡(jiǎn)單、可操作性強(qiáng),大大降低了生產(chǎn)費(fèi)用,并提高效率。
聲明:
“使用X-射線特征譜對(duì)SiGe薄膜進(jìn)行定量分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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