本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硅片缺陷的分析方法及裝置,所述硅片缺陷的分析方法包括:對待檢測硅片表面的預(yù)設(shè)區(qū)域進(jìn)行粒度分布檢測,確定所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)所存在的候選缺陷以及所述候選缺陷的位置信息;根據(jù)所述候選缺陷的位置信息,對待檢測硅片的表面進(jìn)行掃描,從所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所有候選缺陷中篩選出目標(biāo)缺陷;對所述目標(biāo)缺陷進(jìn)行能譜分析,確定所述目標(biāo)缺陷中的雜質(zhì)元素的含量。本發(fā)明實(shí)施例的分析方法可以對納米級別的缺陷多方位的評估和檢測,不需任何化學(xué)處理和抽真空操作,具有安全,快速和可控性高等優(yōu)點(diǎn),對于納米級別的缺陷多方位的評估具有很大的意義。
聲明:
“硅片缺陷的分析方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)