本發(fā)明涉及一種電網(wǎng)電暈監(jiān)測(cè)系統(tǒng),具體是指一種基于光
電化學(xué)型
芯片的電網(wǎng)電暈監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及其制作方法。本發(fā)明先通過水熱法在FTO導(dǎo)電玻璃襯底上沉積一層Ga2O3納米柱,其中,F(xiàn)TO作為電極,之后將材料放置在石英電解槽中,制作一個(gè)基于Ga2O3納米柱的光電化學(xué)結(jié)構(gòu)的紫外光電探測(cè)芯片。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:所制備的氧化鎵基電化學(xué)光電芯片性能穩(wěn)定,對(duì)電網(wǎng)電暈深紫外波段(220nm?280nm)的光譜具有日盲特性,可零功耗工作,響應(yīng)度和靈敏度高,暗電流小,可應(yīng)用于電氣電弧報(bào)警、高壓線電弧、電暈監(jiān)測(cè)領(lǐng)域,具有很大的應(yīng)用前景。
聲明:
“光電化學(xué)型芯片電網(wǎng)電暈監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)