本發(fā)明涉及一種基于遷移學(xué)習(xí)的化學(xué)機(jī)械拋光
芯片表面高度預(yù)測模型建模方法,包括化學(xué)機(jī)械拋光仿真數(shù)據(jù)采集,對數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)預(yù)處理,建立源域數(shù)據(jù)集;利用設(shè)計的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型基于源域數(shù)據(jù)集進(jìn)行模型訓(xùn)練,建立源域化學(xué)機(jī)械拋光芯片表面高度預(yù)測模型;然后基于不同的化學(xué)機(jī)械拋光工藝參數(shù)或者不同類型的電路建立目標(biāo)域數(shù)據(jù)集,并利用遷移學(xué)習(xí)的方法,生成目標(biāo)域化學(xué)機(jī)械拋光芯片表面高度預(yù)測模型。有益效果是適應(yīng)工藝參數(shù)變化以及電路種類差異、通用性強(qiáng)。
聲明:
“基于遷移學(xué)習(xí)的化學(xué)機(jī)械拋光芯片表面高度預(yù)測模型建模方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)