一種監(jiān)控測(cè)量半導(dǎo)體薄膜結(jié)構(gòu)的厚度變化方法,通過(guò)半導(dǎo)體上的測(cè)試區(qū)測(cè)量監(jiān)控在化學(xué)機(jī)械研磨過(guò)程中半導(dǎo)體上元件區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的厚度變化,該方法是蝕刻測(cè)試區(qū)的薄膜結(jié)構(gòu),使蝕刻后測(cè)試區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的圖案密度實(shí)質(zhì)近似于元件區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的圖案密度,以利于化學(xué)機(jī)械研磨工藝中實(shí)質(zhì)仿真該元件區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的厚度變化。
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