本發(fā)明提供能夠詳細(xì)分析聚合物材料的劣化、特別是具有低導(dǎo)電率的聚合物材料的表面狀態(tài)的劣化的劣化分析法。本發(fā)明涉及劣化分析法,其包括:用高強(qiáng)度X射線輻照其上形成有厚度為以下金屬涂層的聚合物材料,并在改變X-射線能量的同時測定X-射線吸收,從而分析聚合物的劣化。
聲明:
“劣化分析法以及化學(xué)態(tài)測量法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)