本發(fā)明涉及用于制造用于檢測至少一種氣態(tài)分析物的氣體傳感器裝置（100）的方法。所述方法（700）具有以下步驟：提供傳感器基體（110），所述半導體基體具有半導體襯底（112）和被布置在所述半導體襯底（112）的第一主表面上的固體電解質(zhì)層（116），至少一個腔區(qū)段（114）成形在所述半導體襯底中。在此所述固體電解質(zhì)層（116）在所述至少一個腔區(qū)段（114）中未被所述半導體襯底（112）覆蓋。所述方法還具有以下步驟：在所述傳感器基體（110）的半導體襯底側(cè)處生成以干化學方式沉積的信號傳導層（120），使得在所述至少一個腔區(qū)段（114）中未被所述半導體襯底（112）覆蓋的固體電解質(zhì)層（116）的區(qū)域中，至少一個缺口區(qū)段在所述信號傳導層（120）中成形，在所述缺口區(qū)段中移除了或者未沉積所述信號傳導層（120）；此外，所述方法具有下述步驟：將至少兩個測量電極（130、140）借助于濕化學過程涂覆到所述固體電解質(zhì)層（116）上，其中第一測量電極（130）布置在所述信號傳導層（120）的所述至少一個缺口區(qū)段中，并且第二測量電極（140）布置在所述傳感器基體（110）的固體電解質(zhì)層側(cè)上。