本發(fā)明涉及包括納米結(jié)構(gòu)的裝置，其中所述納米結(jié)構(gòu)由導(dǎo)電材料制成并且其中所述納米結(jié)構(gòu)由阻擋涂層覆蓋，該阻擋涂層包含Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物，厚度至少為約1nm，其中通過(guò)原子層沉積(ALD)來(lái)沉積所述阻擋涂層。本發(fā)明還涉及在這種裝置中檢測(cè)目標(biāo)化合物的方法以及這種裝置用于表面特異性地產(chǎn)生倏逝場(chǎng)、測(cè)量介質(zhì)的介電性能、檢測(cè)目標(biāo)化合物的存在或濃度、確定目標(biāo)化合物的一級(jí)結(jié)構(gòu)、確定目標(biāo)化合物與對(duì)照值的偏差、擴(kuò)增目標(biāo)化合物或監(jiān)測(cè)目標(biāo)化合物的擴(kuò)增的用途。此外，本發(fā)明涉及制造包括納米結(jié)構(gòu)的裝置的方法，該納米結(jié)構(gòu)允許通過(guò)產(chǎn)生倏逝場(chǎng)進(jìn)行表面特異性的檢測(cè)或允許介電傳感，該方法包括通過(guò)原子層沉積(ALD)在諸如鋁的導(dǎo)電材料上沉積厚度至少為約1nm的Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物阻擋涂層。