本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件失效分析方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)物理檢測(cè)獲取正常半導(dǎo)體器件的目標(biāo)檢測(cè)參數(shù)，目標(biāo)檢測(cè)參數(shù)包括正常半導(dǎo)體器件對(duì)應(yīng)失效半導(dǎo)體器件上的失效點(diǎn)區(qū)域的檢測(cè)參數(shù)，其包括失效點(diǎn)區(qū)域的表面檢測(cè)參數(shù)、失效點(diǎn)區(qū)域的元素濃度檢測(cè)參數(shù)、失效點(diǎn)區(qū)域的剖面檢測(cè)參數(shù)；然后將獲取到的目標(biāo)檢測(cè)參數(shù)作為預(yù)設(shè)仿真算法的輸入?yún)?shù)輸入，通過(guò)預(yù)設(shè)仿真算法結(jié)合預(yù)測(cè)失效結(jié)果，從而得到失效半導(dǎo)體器件的失效原因。也即本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了對(duì)失效半導(dǎo)體器件失效原因的逆向分析，以真實(shí)的失效半導(dǎo)體器件作為直接的分析對(duì)象，分析結(jié)果為全面、準(zhǔn)確。