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Si-SiC襯底材料及其制備方法

1026   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 04:54:26
本發(fā)明是一種Si?SiC導(dǎo)電襯底材料及其制備方法。該材料是一種由光伏硅切割廢料制備的Si?SiC導(dǎo)電襯底材料,按重量計(jì)其組成為:酸洗后的光伏硅切割固體廢料65~99.5%、碳化硅0~30%、改性鋁粉0.5%~5%。該材料的制備方法是:將酸洗后的廢料,碳化硅粉料以及經(jīng)硅烷偶聯(lián)劑包裹改性的鋁粉進(jìn)行混料,均勻后,將混合料、水、分散劑、粘結(jié)劑、增塑劑等進(jìn)行球磨混合成漿料,流延成型成薄片,干燥后在氬氣保護(hù)下燒結(jié),最終得到復(fù)合Si?SiC太陽(yáng)能導(dǎo)電襯底陶瓷薄片。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了廢料的資源化利用,同時(shí)降低了太陽(yáng)能襯底材料的生產(chǎn)成本,為光伏硅切割廢料合成一種具有高附加值產(chǎn)品的有效方法。
聲明:
“Si-SiC襯底材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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