一種有機(jī)硅納米防護(hù)涂層的制備方法，屬于等離子體技術(shù)領(lǐng)域，該方法中，將反應(yīng)腔室內(nèi)的真空度抽到10～200毫托，并通入惰性氣體，開啟運(yùn)動機(jī)構(gòu)，使基材產(chǎn)生運(yùn)動，通入單體蒸汽到反應(yīng)腔室內(nèi)，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，在基材表面化學(xué)氣相沉積制備有機(jī)硅納米涂層；單體蒸汽成分為：至少一種含雙鍵、Si?Cl、Si?O?C、Si?N?Si、Si?O?Si結(jié)構(gòu)或環(huán)狀結(jié)構(gòu)的有機(jī)硅單體和至少一種多官能度不飽和烴及烴類衍生物的混合物。本發(fā)明將傳統(tǒng)的碳?xì)溲跤袡C(jī)化合物單體替換為有機(jī)硅單體，每個(gè)硅原子至少提供1?4個(gè)活性位點(diǎn)，具有較高的活性，等離子沉積方法涂層厚度從納米到微米都可以實(shí)現(xiàn)精確可控，且不需要使用溶劑，同時(shí)也避免了液相有機(jī)硅涂層方法產(chǎn)生廢水、廢液、廢氣等不足。