本發(fā)明提供一種由數(shù)股半導體工藝廢水匯集成的綜合廢水的處理方法,該綜合廢水不含NH4F/HF緩沖的氧化物蝕刻液(Buffered?Oxide?Etch?solution)廢水(簡稱NH4F/F-廢水),而基本上含有氧化劑、有機物、無機物、及氨氮雜質。首先對該綜合廢水進行去氧化劑處理;接著以無氧微生物分解方式進行處理,使其中所含的雜質被部份分解;再以有氧微生物分解方式進行處理,使殘留于其中的有機物及氨氮被進一步分解,而得到可回收或排放的廢水。本發(fā)明方法進一步包含對NH4OH淋洗廢水、TMAH黃光工藝廢水、或NH4F/F-廢水進行個別處理的步驟,及將此等個別處理所得到廢水整合于該綜合廢水的處理方法。
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“半導體工藝廢水之處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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