在包含鈮酸鋰等的壓電性單晶基板4、4A與支撐基板1的接合體5、5A中，抑制加熱時(shí)的接合體翹曲。接合體5、5A具備：壓電性單晶基板4、4A；支撐基板1，其由多晶陶瓷材料或單晶材料形成；接合層2A，其設(shè)置于壓電性單晶基板4、4A上，且組成為Si_(1－x)O_x(0.008≤x≤0.408)；以及非晶質(zhì)層8，其設(shè)置于支撐基板1與接合層2A之間，且含有氧原子及氬原子。非晶質(zhì)層8的中央部中的氧原子的濃度高于非晶質(zhì)層8的周緣部中的氧原子的濃度。