權(quán)利要求
1.一種氧化
銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1、加入沉鈷后液:將沉鈷后液加入氧化銅鈷礦攪拌浸出工序的末級浸出槽中,與浸出礦漿混合均勻;
步驟S2、加入混凝劑:向浸出礦漿中加入混凝劑,在浸出礦漿中形成硅膠粒子;
步驟S3、加入絮凝劑:向浸出礦漿中加入絮凝劑
步驟S4、濃密分離:將浸出礦漿進(jìn)入浸出
濃密機(jī)中,進(jìn)行濃密分離,得到溢流浸出液和底流浸出渣漿;溢流浸出液作為高銅料液進(jìn)入高銅萃取工序;底流浸出渣漿經(jīng)CCD逆流洗滌后產(chǎn)出低銅料液進(jìn)入低銅萃取工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,步驟S1所述沉鈷后液為銅鈷
濕法冶金得到的低銅萃余液,經(jīng)過石灰除鐵和氧化鎂沉鈷工序后產(chǎn)出的廢液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,步驟S2中向浸出礦漿中加入混凝劑,在混合液中形成硅膠粒子,包括:
將浸出礦漿從末級浸出槽溢流至中轉(zhuǎn)泵池,在中轉(zhuǎn)泵池加入混凝劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,步驟S3中向浸出礦漿中加入絮凝劑,包括:在浸出濃密機(jī)的外部混合槽和中心進(jìn)料管逐級分段加入絮凝劑與浸出礦漿混合均勻。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,步驟S1所述沉鈷后液中,鎂離子含量為5~15g/L,鈣離子含量為100~500mg/L。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,步驟S1所述沉鈷后液加入浸出礦漿后,鈣鎂離子總含量為浸出礦漿中硅含量的0.1~2.0倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,步驟S2所述的混凝劑的添加量為浸出礦漿中干礦重的0.001%~0.01%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,所述絮凝劑,為聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸鈉、聚合氯化
鋁、聚合硫酸鐵、三
氯化鐵、硫酸鋁、十二烷基硫酸鈉、聚磷氯化鐵或木質(zhì)磺酸鹽中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其特征在于,所述絮凝劑的添加量為浸出礦漿中干礦重的n.005%~0.01%。
說明書
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于濕法冶金技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法。
背景技術(shù)
[0002]某地區(qū)氧化銅鈷礦石中大多含有酸可溶硅,在礦石酸性浸出過程中硅隨銅鈷金屬離子進(jìn)入到溶液中,浸出液中的硅含量可達(dá)200~1000mg/L,使得浸出液黏度升高。而當(dāng)浸出液硅含量高于100mg/L時,進(jìn)入萃取工序后不利于水相和有機(jī)相的分離,尤其給萃取混合室相連續(xù)狀態(tài)的調(diào)節(jié)控制帶來較大困難。萃取工序中萃余液或富銅液等水相出口級為水相連續(xù)時可減少有機(jī)相夾帶,但是由于浸出液中硅含量較多使得其黏度升高,水相連續(xù)時不利于有機(jī)相從水相中分離出,造成分相時間延長以及水相夾帶更多的有機(jī)相。因此,某地區(qū)大部分氧化銅鈷礦濕法冶煉廠萃取工序水相出口級都不得不采用有機(jī)相連續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)。
[0003]硅在溶液中多以分子態(tài)、離子態(tài)和膠體狀態(tài)硅酸的形式存在,現(xiàn)有溶液中除硅的方法,例如專利“一種硫酸
錳溶液除硅的方法”(專利申請?zhí)枺?02111428199.4)、專利“一種
鎳鈷浸出液深度除硅的方法”(專利申請?zhí)枺?02011094666.X)等,多是先調(diào)節(jié)溶液pH值至弱酸性或堿性,然后再加入除硅試劑進(jìn)行除硅以及固液分離,得到除硅后液和含硅渣。這是因?yàn)樵趬A性溶液中硅酸不穩(wěn)定,易發(fā)生分子內(nèi)聚合反應(yīng)生成多聚硅酸,多聚硅膠進(jìn)一步與金屬陽離子形成硅酸鹽沉淀,而達(dá)到除硅的目的。
[0004]上述方法對于酸性溶液則不適用,目前針對酸性溶液直接除硅方法的研究和報道較少,已有的酸性溶液直接除硅的方法,例如專利“一種從酸液中除硅的方法”(專利申請?zhí)枺?02110378310.7)、專利“一種鎳鈷溶液凈化除硅的方法”(專利申請?zhí)枺?02011078830.8)等,多是向酸性溶液中加入γ-A12O3和氫氧化鋯等試劑,將溶液中的硅進(jìn)行吸附脫除,再將吸附硅之后的試劑回收再生后循環(huán)利用。
[0005]氧化銅鈷礦石經(jīng)過酸性浸出后(浸出pH為1.5-2.0),浸出礦漿首先經(jīng)過浸出濃密進(jìn)行固液分離產(chǎn)出溢流高含銅鈷料液以及底流浸出渣礦漿,底流浸出渣礦漿再經(jīng)過CCD逆流洗滌后產(chǎn)出溢流低含銅鈷料液和底流
尾礦漿,尾礦排入酸性尾礦庫,高含銅鈷料液和低含銅鈷料液進(jìn)入萃取工序。對于氧化銅鈷礦浸出液,無法采用提高pH值加入除硅劑,因?yàn)闀斐摄~鈷金屬離子中和沉淀以及影響后續(xù)萃取工序生產(chǎn);同時也無法采用直接加入硅吸附劑的方法,因?yàn)楣栉絼c浸出渣漿混合無法分離而排到尾礦庫中,造成硅吸附劑消耗損失,且硅吸附劑往往價格較高。
發(fā)明內(nèi)容
[0006]本發(fā)明的目的是提供一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,解決背景技術(shù)提出的問題。
[0007]本發(fā)明的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的:
[0008]本發(fā)明提供的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,包括如下步驟:
[0009]步驟S1、加入沉鈷后液:將沉鈷后液加入氧化銅鈷礦攪拌浸出工序的末級浸出槽中,與浸出礦漿混合均勻;
[0010]步驟S2、加入混凝劑:向浸出礦漿中加入混凝劑,在浸出礦漿中形成硅膠粒子;
[0011]步驟S3、加入絮凝劑:向浸出礦漿中加入絮凝劑
[0012]步驟S4、濃密分離:將浸出礦漿進(jìn)入浸出濃密機(jī)中,進(jìn)行濃密分離,得到溢流浸出液和底流浸出渣漿;溢流浸出液作為高銅料液進(jìn)入高銅萃取工序;底流浸出渣漿經(jīng)CCD逆流洗滌后產(chǎn)出低銅料液進(jìn)入低銅萃取工序。
[0013]進(jìn)一步的,步驟S 1所述沉鈷后液為銅鈷濕法冶金得到的低銅萃余液,經(jīng)過石灰除鐵和氧化鎂沉鈷工序后產(chǎn)出的廢液。
[0014]進(jìn)一步的,步驟S2中向浸出礦漿中加入混凝劑,在混合液中形成硅膠粒子,包括:將浸出礦漿從末級浸出槽溢流至中轉(zhuǎn)泵池,在中轉(zhuǎn)泵池加入混凝劑。
[0015]進(jìn)一步的,步驟S3中向浸出礦漿中加入絮凝劑,包括:在浸出濃密機(jī)的外部混合槽和中心進(jìn)料管逐級分段加入絮凝劑與浸出礦漿混合均勻。
[0016]進(jìn)一步的,步驟S1所述沉鈷后液中,鎂離子含量為5~15g/L,鈣離子含量為100~500mg/L。
[0017]進(jìn)一步的,步驟S1所述沉鈷后液加入浸出礦漿后,鈣鎂離子總含量為浸出礦漿中硅含量的0.1~2.0倍。
[0018]進(jìn)一步的,步驟S2所述的混凝劑的添加量為浸出礦漿中干礦重的0.001%~0.01%。
[0019]進(jìn)一步的,所述絮凝劑,為聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸鈉、聚合氯化鋁、聚合硫酸鐵、三氯化鐵、硫酸鋁、十二烷基硫酸鈉、聚磷氯化鐵或木質(zhì)磺酸鹽中的一種或多種。
[0020]進(jìn)一步的,所述絮凝劑的添加量為浸出礦漿中干礦重的0.005%~0.01%。
[0021]綜上所述,本發(fā)明具有以下有益效果:
[0022]通過本發(fā)明提供的方法,利用銅鈷濕法冶金廠自產(chǎn)的沉鈷后液廢水作為混凝反應(yīng)所需鈣鎂離子的藥劑來源,在強(qiáng)酸性礦漿環(huán)境中通過先添加某新型混凝劑、后添加絮凝劑的方法實(shí)現(xiàn)了對硅的去除,最終浸出液中的硅去除率為85%~95%,硅含量為20~50mg/L,可滿足后續(xù)萃取工序的生產(chǎn)要求。
附圖說明
[0023]圖1為本發(fā)明提供的氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法工藝流程示意圖。
具體實(shí)施方式
[0024]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,對依據(jù)本發(fā)明提出的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,其具體實(shí)施方式、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。
[0025]本具體實(shí)施方式提供的一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,包括如下步驟:
[0026]S1、將沉鈷后液加入氧化銅鈷礦攪拌浸出工序的末級浸出槽中混合均勻;
[0027]S2、向浸出礦漿中加入混凝劑,在浸出礦漿中形成硅膠粒子;
[0028]S3、向浸出礦漿中加入絮凝劑;
[0029]S4、將浸出礦漿進(jìn)入浸出濃密機(jī)中,進(jìn)行濃密分離,得到溢流浸出液和底流浸出渣漿;
[0030]S5、溢流浸出液作為高銅料液進(jìn)入高銅萃取工序;
[0031]S6、底流浸出渣漿經(jīng)CCD逆流洗滌后產(chǎn)出低銅料液進(jìn)入低銅萃取工序。
[0032]可以理解的是,本具體實(shí)施方式提供的方法,通過在氧化銅鈷礦浸出液中引入沉鈷后液、混凝劑和絮凝劑,促進(jìn)硅膠顆粒的形成與分離,有效降低了溶液中的硅含量,保障后續(xù)萃取工序的相連續(xù)穩(wěn)定。
[0033]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,沉鈷后液為銅鈷濕法冶金得到的低銅萃余液,經(jīng)過石灰除鐵和氧化鎂沉鈷工序后產(chǎn)出的廢液。
[0034]可以理解的是,本具體實(shí)施方式提供的廢液,具備一定的化學(xué)活性,其中含有較高的鈣鎂離子,而溶液中的鈣鎂離子可促進(jìn)硅酸和硅膠體聚合,能夠增強(qiáng)浸出液中硅膠顆粒的沉降效果,進(jìn)一步降低硅含量,提高液固分離效率,為后續(xù)高銅和低銅萃取工序提供更純凈的料液。此外,這一方式通過強(qiáng)化浸出液的凈化效果,提高了銅鈷分離和回收效率,優(yōu)化了工藝流程,提升了整體經(jīng)濟(jì)性和環(huán)境友好性。
[0035]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,向浸出礦漿中加入混凝劑,在浸出礦漿中形成硅膠粒子,包括:
[0036]將浸出礦漿從末級浸出槽溢流至中轉(zhuǎn)泵池,在中轉(zhuǎn)泵池加入混凝劑。
[0037]可以理解的是,在中轉(zhuǎn)泵池加入混凝劑,使得浸出礦漿在進(jìn)入浸出濃密機(jī)前與混凝劑混合均勻,并在管道輸送過程中發(fā)生混凝反應(yīng),此時溶液中的硅膠失穩(wěn)聚合形成硅膠粒子。
[0038]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,向浸出礦漿中加入絮凝劑,得到包括:在浸出濃密機(jī)的外部混合槽和中心進(jìn)料管逐級分段加入絮凝劑與混合液混合均勻。
[0039]可以理解的是,浸出濃密機(jī)外部混合槽及中心進(jìn)料管逐級分段加入絮凝劑與浸出礦漿混合均勻,在使得礦漿中硅膠失穩(wěn)聚合形成的硅膠粒子發(fā)生絮凝和架橋反應(yīng),進(jìn)一步團(tuán)聚成較大顆粒而沉降。
[0040]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,沉鈷后液中,鎂離子含量為5~15g/L,鈣離子含量為100~500mg/L。
[0041]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,沉鈷后液加入浸出礦漿后,鈣鎂離子總含量為浸出礦漿中硅含量的0.1~2.0倍。
[0042]可以理解的是,若沉鈷后液中鈣鎂離子總含量低于浸出礦漿中硅含量的0.1倍,可能導(dǎo)致硅膠顆粒生成不足,使硅在溶液中無法有效沉降,液固分離效率下降,進(jìn)而導(dǎo)致溶液中硅含量過高,影響后續(xù)萃取工序的效率,甚至降低銅鈷的回收率。
[0043]而如果鈣鎂離子總含量超過硅含量的2.0倍,可能生成多余的副產(chǎn)物(如石膏),對料液純度和設(shè)備運(yùn)行造成負(fù)面影響,還會增加原料和廢液處理成本。因此,只有將鈣鎂離子總含量控制在硅含量的0.1~2.0倍范圍內(nèi),才能有效去除硅,保持良好的料液純度和設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)。
[0044]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,混凝劑的添加量為浸出礦漿中干礦重的0.001%~0.01%。
[0045]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,絮凝劑為聚乙烯亞胺、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸鈉、聚合氯化鋁、聚合硫酸鐵、三氯化鐵、硫酸鋁、十二烷基硫酸鈉、聚磷氯化鐵或木質(zhì)磺酸鹽中的一種或多種。
[0046]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,絮凝劑的添加量為浸出礦漿中干礦重的0.005%~0.01%。
[0047]在一些優(yōu)選的實(shí)施例中,一種氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法,包括如下步驟:
[0048]S 1、加入沉鈷后液:沉鈷后液為銅鈷濕法冶金廠低銅萃余液經(jīng)過石灰除鐵、氧化鎂沉鈷等工序產(chǎn)出的廢液,其中含有較高的鈣鎂離子,而溶液中的鈣鎂離子可促進(jìn)硅酸和硅膠體聚合。將沉鈷后液加入氧化銅鈷礦攪拌浸出工序的末級浸出槽,使得沉鈷后液中鈣鎂離子在末級浸出槽機(jī)械攪拌作用下與浸出礦漿混合均勻。
[0049]S2、加入混凝劑:浸出礦漿從末級浸出槽溢流至中轉(zhuǎn)泵池,然后泵送至浸出濃密機(jī)進(jìn)行固液分離。在中轉(zhuǎn)泵池加入混凝劑,使得浸出礦漿在進(jìn)入浸出濃密機(jī)前與混凝劑混合均勻,并在管道輸送過程中發(fā)生混凝反應(yīng),此時溶液中的硅膠失穩(wěn)聚合形成硅膠粒子。
[0050]S3、加入絮凝劑:加入絮凝劑:在浸出濃密機(jī)外部混合槽及中心進(jìn)料管逐級分段加入絮凝劑與浸出礦漿混合均勻,在使得礦漿中硅膠失穩(wěn)聚合形成的硅膠粒子發(fā)生絮凝和架橋反應(yīng),進(jìn)一步團(tuán)聚成較大顆粒而沉降。
[0051]S4、濃密分離:浸出礦漿進(jìn)入浸出濃密機(jī)中心筒內(nèi),經(jīng)絮凝沉降后得到溢流浸出液和底流浸出渣漿,溢流浸出液作為高銅料液進(jìn)入高銅萃取工序,底流浸出渣漿經(jīng)CCD逆流洗滌后產(chǎn)出低銅料液進(jìn)入低銅萃取工序。
[0052]可以理解的是,本具體實(shí)施方式提供的方法,通過鈣鎂離子、混凝劑和絮凝劑的協(xié)同作用,實(shí)現(xiàn)了對氧化銅鈷礦浸出液中硅含量的高效降低。具體而言,沉鈷后液中富含的鈣鎂離子在浸出礦漿的末級浸出槽中與硅酸和硅膠體發(fā)生反應(yīng),促進(jìn)硅酸和硅膠體的聚合,使其失穩(wěn)并初步形成硅膠顆粒。
[0053]接著,在中轉(zhuǎn)泵池中加入混凝劑,使混凝劑與浸出礦漿均勻混合并在輸送管道內(nèi)發(fā)生混凝反應(yīng)。此時,溶液中的硅膠進(jìn)一步失穩(wěn),聚合形成更多硅膠顆粒,提高硅的去除效率
[0054]隨后,在浸出濃密機(jī)的外部混合槽及中心進(jìn)料管內(nèi)分段加入絮凝劑,與礦漿充分混合。絮凝劑通過架橋和團(tuán)聚反應(yīng),使硅膠顆粒進(jìn)一步聚集形成較大的絮團(tuán),從而顯著提高了顆粒的沉降速率。這種多級絮凝反應(yīng)不僅加速了硅膠顆粒的沉降,還確保了底流浸出渣漿中的硅含量進(jìn)一步降低。
[0055]最終,在浸出濃密機(jī)內(nèi)通過固液分離過程,硅膠顆粒隨底流渣漿沉降,減少了溢流浸出液中的硅含量。溢流液作為高銅溶液進(jìn)入高銅萃取工序,底流渣漿經(jīng)CCD洗滌后產(chǎn)出低銅溶液進(jìn)入低銅萃取工序,從而實(shí)現(xiàn)了對硅的有效去除,保證后續(xù)萃取工序的效率和穩(wěn)定性。鈣鎂離子、混凝劑與絮凝劑的復(fù)配使用相輔相成,通過不同階段的作用機(jī)制,成功實(shí)現(xiàn)了浸出液中硅的高效脫除。
[0056]下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明做更進(jìn)一步地說明,需要指出的是,本實(shí)施例為實(shí)驗(yàn)室模擬生產(chǎn)工序的小型實(shí)驗(yàn),重點(diǎn)在于展現(xiàn)采用本發(fā)明的方法能夠有效去除硅,前文所述的攪拌槽和濃密機(jī)等為實(shí)際生產(chǎn)中進(jìn)行反應(yīng)的實(shí)現(xiàn)方式,相當(dāng)于小型實(shí)驗(yàn)的放大。
[0057]實(shí)施例1
[0058]本實(shí)施例是取某氧化銅鈷礦浸出礦漿1000mL于燒杯中,浸出礦漿固體含量為31%,礦石密度為2.75g/cm3,礦漿pH值為1.58,礦漿溶液中硅含量為450 mg/L,沉鈷車間產(chǎn)出的沉鈷后液鎂離子含量為8.32g/L、鈣離子含量為158mg/L。
[0059]S1、向浸出礦漿中加入42mL沉鈷后液,并開啟攪拌混合2min得到混合液;
[0060]S2、向混合液中加入15.45mg混凝劑,并攪拌混合2min;
[0061]S3、向燒杯中加入23.17mg聚丙烯酰胺,攪拌混合2min后停止攪拌,得到礦漿混合液;
[0062]S4、將礦漿混合液沉降,待礦漿固體沉降后取上清液檢測分析。
[0063]分析結(jié)果可知,上清液硅含量為42mg/L,硅去除率為90.67%。
[0064]對比例1
[0065]取某氧化銅鈷礦浸出礦漿1000mL于燒杯中,浸出礦漿固體含量為31%,礦石密度為2.75g/cm3,礦漿pH值為1.58,礦漿溶液中硅含量為450 mg/L。
[0066]S1、向浸出礦漿中加入16.22mg混凝劑,并攪拌混合2min,得到混合液;
[0067]S2、向混合液中加入23.94mg聚丙烯酰胺,攪拌混合2min后停止攪拌,得到礦漿混合液;
[0068]S3、將礦漿混合液沉降,待礦漿固體沉降后取上清液檢測分析。
[0069]分析結(jié)果可知,上清液硅含量為105mg/L,硅去除率為76.67%。
[0070]對比例2
[0071]取某氧化銅鈷礦浸出礦漿1000mL于燒杯中,浸出礦漿固體含量為31%,礦石密度為2.75g/cm3,礦漿pH值為1.58,礦漿溶液中硅含量為450 mg/L。
[0072]S1、向浸出礦漿中加入25.96mg聚丙烯酰胺,攪拌混合2min后停止攪拌,得到礦漿混合液;
[0073]S2、將礦漿混合液沉降,待礦漿固體沉降后取上清液檢測分析。
[0074]分析結(jié)果可知,上清液中硅含量為312mg/L,硅去除率為30.67%。
[0075]對比例3
[0076]取某氧化銅鈷礦浸出礦漿1000mL于燒杯中,浸出礦漿固體含量為31%,礦石密度為2.75g/cm3,礦漿pH值為1.58,礦漿溶液中硅含量為450 mg/L。
[0077]S1、向浸出礦漿中加入42mL沉鈷后液,并開啟攪拌混合2min得到混合液;
[0078]S2、向混合液中加入15.45mg混凝劑,并攪拌混合2min;
[0079]S3、將礦漿混合液沉降,待礦漿固體沉降后取上清液檢測分析。
[0080]分析結(jié)果可知,上清液硅含量為136mg/L,硅去除率為69.78%。
[0081]對比例4
[0082]取某氧化銅鈷礦浸出礦漿1000mL于燒杯中,浸出礦漿固體含量為31%,礦石密度為2.75g/cm3,礦漿pH值為1.58,礦漿溶液中硅含量為450 mg/L。
[0083]S1、向浸出礦漿中加入42mL沉鈷后液,并開啟攪拌混合2min得到混合液;
[0084]S2、向燒杯中加入23.17mg聚丙烯酰胺,攪拌混合2min后停止攪拌,得到礦漿混合液;
[0085]S3、將礦漿混合液沉降,待礦漿固體沉降后取上清液檢測分析。
[0086]分析結(jié)果可知,上清液硅含量為353mg/L,硅去除率為21.56%。
[0087]以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例展示如上,但并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
說明書附圖(1)
聲明:
“氧化銅鈷礦浸出液中降低硅含量的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)