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P型半導(dǎo)體氧化鋅薄膜,其制備方法,和使用透明基片的脈沖激光沉積方法

799   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 23:26:55
披露了p型半導(dǎo)體氧化(ZnO)薄膜和制備所述薄膜的方法。所述薄膜是用磷(P)和(Li)共摻雜的。披露了用于生成所述薄膜的脈沖激光沉積方法。還披露了使用透明基片的脈沖激光沉積方法,它包括脈沖激光源,在脈沖激光波長(zhǎng)下透明的基片,以及多靶系統(tǒng)。脈沖激光的光程是這樣設(shè)置的,使得脈沖激光從基片的背面入射,穿過(guò)基片,然后聚焦在靶上。通過(guò)向著靶平移基片,這種幾何設(shè)置能夠利用燒蝕羽流的根部沉積小結(jié)構(gòu),它在通過(guò)三維絕熱膨脹加寬羽流的角寬度前,可以沿靶表面法線存在于一維過(guò)渡階段。這可以提供小的沉積結(jié)構(gòu)尺寸,該尺寸可以類似于激光焦斑的尺寸,并且提供一種用于直接沉積圖案化材料的新方法。
聲明:
“P型半導(dǎo)體氧化鋅薄膜,其制備方法,和使用透明基片的脈沖激光沉積方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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