提供一種彈性波裝置及復(fù)合濾波器裝置，能夠充分地抑制諧振頻率的2.2倍的頻率下的高階模式。本發(fā)明的彈性波裝置(1)具備面取向?yàn)?111)的硅基板(2)、氮化硅層(3)、氧化硅層(4)、鉭酸鋰層(5)、以及設(shè)置在鉭酸鋰層(5)上的IDT電極(6)。在將由IDT電極(6)的電極指間距規(guī)定的波長設(shè)為λ時(shí)，氮化硅層(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅層(4)的厚度SiO2[λ]、鉭酸鋰層(5)的厚度LT[λ]及鉭酸鋰層(5)的歐拉角中的LTθ[deg.]為通過式1導(dǎo)出的第一高階模式的相位成為?20[deg.]以下的范圍內(nèi)的厚度及角度。