產(chǎn)品應用：

采用高頻感應加熱、激光加熱或電子束加熱，利用雜質(zhì)元素在固相和液相之間溶解度的不同，通過熔區(qū)的運動提純材料的工藝設(shè)備。用于生產(chǎn)高純度的陶瓷、金屬、合金、無機和有機化合物晶體。

技術(shù)參數(shù)：

1. 感應熔煉水平區(qū)熔提純爐：(HVZM-I)

2. 電子束熔煉垂直區(qū)熔提純爐：(HVZM-EB)

3. 激光束熔煉垂直區(qū)熔提純及單晶生長爐：(HVZM-L)

4. 感應熔煉水平區(qū)熔+垂直區(qū)熔聯(lián)合提純爐：(HVZM-IF)

型號HVZM-EBHVZM-LHVZM-1

真空性能極限真空度6.67 x 10-4Pa6.67 x 10-4Pa6.67 x 10-4Pa

壓升率≤0.67Pa/H≤0.67Pa/H≤0.67Pa/H

抽氣系統(tǒng)分子泵+機械泵分子泵+機械泵分子泵+機械泵

真空測量系統(tǒng)數(shù)顯復合真空計數(shù)顯復合真空計數(shù)顯復合真空計

最高加熱溫度2600℃2600℃1800℃

最大棒料尺寸Dn10mm×200mmDn10mm×200mmDn20mm×200mm

樣品移動速度1mm/H~360mm/H1mm/H~360mm/H0.001~1mm/s

坩堝材質(zhì)無坩堝結(jié)構(gòu)無坩堝結(jié)構(gòu)水平區(qū)熔采用水冷銅坩堝

立式區(qū)熔采用無坩鍋結(jié)構(gòu)

電源最大功率10~30KW1.5~2KW75KW

控制系統(tǒng)PC+PLC控制系統(tǒng)實現(xiàn)設(shè)備的自動控制

設(shè)備尺寸(L×W×H,mm)2700×1500×21002700×1500×21003000×1500×1600

用電需求20~40KW,380V/3P/50Hz10KW,380V/3P/50Hz90KW,380V/3P/50Hz

設(shè)備特性1. HVZM-D, HVZM-L設(shè)有LMC液態(tài)金屬冷卻系統(tǒng)

2. HVZM-1F型的立式區(qū)熔模塊部分設(shè)有LMC液態(tài)金屬冷卻系統(tǒng)

★設(shè)備自帶進水分水器、回水回流器閥門及管路;不配置水循環(huán)系統(tǒng);

★可選配水循環(huán)系統(tǒng)：包括不銹鋼水箱、水泵、閥門及管路等;

★可根據(jù)用戶需求非標定制。