本發(fā)明涉及一種碳包覆Cu/Zn0復(fù)合多孔材料的制備方法。該多孔材料具有納米尺寸的三維孔道。其中銅納米組分的加入,顯著提高了
復(fù)合材料的電子電導(dǎo)率,利于金屬氧化物
納米材料的功能化應(yīng)用。本方法具有制備工藝簡單,產(chǎn)物成分可控,粒度均一,產(chǎn)率高等優(yōu)點,易于大量生產(chǎn)。
聲明:
“碳包覆Cu/ZnO復(fù)合多孔材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)