本發(fā)明提出了一種無柵AlGaN/GaN場效應(yīng)晶體管傳感器，在AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)基片上蒸鍍有電極，還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋整個(gè)源端電極、源端電極PAD與漏端電極、漏端電極PAD，在覆蓋源端電極PAD與漏端電極PAD的鈍化層上刻蝕出窗口，深度至PAD顯露；還包括離子印跡聚合物層，所述離子印跡聚合物層位于AlGaN層上，含有印跡孔穴。還公開了無柵AlGaN/GaN場效應(yīng)晶體管傳感器的制備方法。本發(fā)明制備的導(dǎo)電高聚物納米復(fù)合材料具有單一離子識別的性能，可以提高器件的選擇性吸附、抗干擾能力；還具有快速響應(yīng)的特點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高精度的定量檢測；通過NaCl溶液沖洗可以方便快捷的重復(fù)使用，具有使用方便、成本低、可用于水質(zhì)的在線監(jiān)測等特點(diǎn)。