本發(fā)明公開(kāi)了一種基于SiGeSn-GeSn材料的II型異質(zhì)結(jié)隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管，主要解決現(xiàn)有基于IV族材料的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能差的問(wèn)題。其包括襯底(1)、源極(2)、溝道(3)和漏極(4)。溝道采用Sn組分為[0.05,0.12]的單晶GeSn材料；源極和漏極均采用Ge組分為[0.2,0.5]，Sn組分為[0.1，0.2]的SiGeSn復(fù)合材料；源極、溝道、漏極依次豎直分布，且溝道外部依次包裹有絕緣介質(zhì)(5)與柵電極(6)。本發(fā)明通過(guò)源極SiGeSn與溝道GeSn兩種材料相互接觸，形成II型異質(zhì)隧穿結(jié)，降低了隧穿勢(shì)壘高度，增大了隧穿幾率和器件的隧穿電流，可用于制作大規(guī)模集成電路。