權(quán)利要求 1.一種低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟一、根據(jù)成分配比要求，按照氧化銦90-97%、氧化錫3-10%的質(zhì)量比進(jìn)行混合得到混合粉體，然后摻入造粒助劑得到ITO漿料; 步驟二、將步驟一所得的ITO漿料進(jìn)行造粒處理，得到ITO造粒粉體; 步驟三、將步驟二所得ITO造粒粉體分成兩部分，第一部分的ITO造粒粉體的質(zhì)量百分含量為30-70%，第二部分的ITO造粒粉體的質(zhì)量百分含量為30-70%，所述第一部分和第二部分ITO造粒粉體的質(zhì)量總和為100%; 步驟四、將第一部分的ITO造粒粉體進(jìn)行預(yù)燒處理，得到預(yù)燒粉體; 步驟五、將步驟四所得預(yù)燒粉體與第二部分的ITO造粒粉體混合，并進(jìn)行預(yù)壓成型，得到ITO素坯; 步驟六、將步驟五所得ITO素坯放入脫脂爐中進(jìn)行脫脂處理; 步驟七、將步驟六處理后的ITO素坯放入燒結(jié)爐內(nèi)在常壓空氣氣氛中進(jìn)行燒結(jié)處理，得到低密度ITO蒸鍍靶材。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟一中所述造粒助劑包括分散劑、粘結(jié)劑和潤滑劑;所述分散劑為聚丙烯酸銨，粘結(jié)劑為聚乙烯醇。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟一中所述混合粉體的平均粒徑D50為400nm。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟二中造粒處理的溫度為90-110℃。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟四中預(yù)燒處理的工藝條件為：燒結(jié)溫度為1300-1600℃，保溫時(shí)間為6-10h。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟四中所述燒結(jié)溫度的升溫速率為2℃/min。 7.根據(jù)權(quán)利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟五中預(yù)壓成型的壓力為20-30MPa。 8.根據(jù)權(quán)利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于，步驟六中脫脂處理的工藝條件為：脫脂溫度為500-800℃，保溫時(shí)間為4-8h。 9.根據(jù)權(quán)利要求1所述低密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特