在銦錫氧化合物上生長電場調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片方法，涉及光電領(lǐng)域。步驟：1)將類芳香化合物單體、過硫酸系氧化劑、鈉鹽類表面活性劑、吸電子型摻雜劑混合，將反應(yīng)物溶于水中，攪拌后得混合溶液；2)將銦錫氧化合物基體底片清洗后將導(dǎo)電面朝上浸泡在步驟1)所得混合溶液中，取出后再清洗，令共軛活性鏈段在改性過后的銦錫氧化合物基體表面均勻生長，隨后進行熱處理，即完成在銦錫氧化合物上生長電場調(diào)控透光率共軛環(huán)薄片，得表面多孔類芳香性高分子微米級薄片。節(jié)約能源，增強微米級薄片制備的可重復(fù)性。避免原子對光的散射，降低微米級薄片的霧度。實現(xiàn)C、H、N缺電子化合物與銦錫氧化合物基體的化學(xué)鍵結(jié)合，延長復(fù)合材料使用壽命。