一種含納米銀顆粒的氮化硼薄膜的制備方法,屬于納米金屬顆粒與寬帶隙半導(dǎo)體材料復(fù)合材料領(lǐng)域。本發(fā)明步驟如下:第一步:將硅或者石英襯底進(jìn)行清洗之后,在襯底材料上使用濺射方法沉積納米銀顆粒,沉積時(shí)間5s～10s范圍,功率40～80W;工作氣體為Ar氣體,工作氣壓小于1Pa,抽真空;在第一步的基礎(chǔ)上以濺射的方法沉積六方氮化硼薄膜,功率100～200W,時(shí)間10～40mins;工作氣體為Ar/N2體積比為2∶3的混合氣體,工作氣壓為1Pa,抽真空;對含有納米銀顆粒的六方氮化硼薄膜進(jìn)行氮?dú)獗Ｗo(hù)退火;退火溫度為500～900℃;恒溫20～60分鐘。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了寬帶隙半導(dǎo)體材料的紅外光譜增強(qiáng)。