本申請?zhí)峁┮环N半導體工藝設備及其靜電卡盤組件，該靜電卡盤組件包括靜電卡盤和控溫基座，靜電卡盤設置在控溫基座上，與控溫基座固定連接，其特征在于，靜電卡盤包括電極和包裹電極的介質層；控溫基座中設置有控溫通道，控溫基座的材質為金屬基陶瓷顆粒增強的復合材料，復合材料中金屬基與陶瓷顆粒的占比被調節(jié)為預設值，使控溫基座的熱膨脹系數與介質層的熱膨脹系數的差值小于預設閾值。應用本申請可以解決現有技術中因膠層存在而導致的導熱效率較低、真空泄露等問題。