本發(fā)明涉及形成柔性應(yīng)力消除緩沖區(qū)的半導(dǎo)體器件和方法。半導(dǎo)體器件具有在指定用于凸點(diǎn)形成的位置處安裝到暫時(shí)襯底的應(yīng)力消除緩沖區(qū)。應(yīng)力消除緩沖區(qū)可以是多層復(fù)合材料,諸如第一柔性層、在所述第一柔性層上形成的硅層以及在所述硅層上形成的第二柔性層。半導(dǎo)體管芯也安裝到暫時(shí)襯底。應(yīng)力消除緩沖區(qū)可以比半導(dǎo)體管芯薄。在半導(dǎo)體管芯和應(yīng)力消除緩沖區(qū)之間沉積密封劑。去除暫時(shí)襯底。在半導(dǎo)體管芯、密封劑和應(yīng)力消除緩沖區(qū)上形成互連結(jié)構(gòu)?；ミB結(jié)構(gòu)電連接到半導(dǎo)體管芯?？梢栽趹?yīng)力消除緩沖區(qū)和密封劑上形成增強(qiáng)板層?？梢栽趹?yīng)力消除緩沖區(qū)內(nèi)形成包含有源器件、無(wú)源器件、導(dǎo)電層和介電層的電路層。