本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體基材構(gòu)造及其加工方法,方法包括:在基材上加工一穿透孔溝槽;在該孔溝槽添加高分子復(fù)合材料;對(duì)該基材表面進(jìn)行研磨或噴沙;對(duì)該基材表面進(jìn)行表面被覆材料的處理。該半導(dǎo)體基材構(gòu)造包含有基材,具有穿透孔及溝槽;其中該穿透孔及溝槽內(nèi)填充有高分子材料及復(fù)合材料。本發(fā)明具有高平整度及切割不易生毛邊的優(yōu)點(diǎn),且不易變形,增加了產(chǎn)品封裝的良率及品質(zhì),而使用發(fā)光二極管的芯片或一般IC集成電路芯片封裝時(shí),會(huì)易于達(dá)成電子芯片所需的封裝需求,而且比公知的基材構(gòu)造成本低。