本發(fā)明提供一種功函數(shù)可調(diào)的空穴傳輸材料及其制備方法和應用,所述空穴傳輸材料為包含復合鎳氧化合物和電子受體化合物的納米
復合材料膜。其中,可以通過調(diào)整所述電子受體化合物在所述納米復合材料膜中的含量來調(diào)整所述空穴傳輸材料的功函數(shù)。在本發(fā)明的制備方法中,僅需要將包含復合鎳氧化合物和電子受體化合物的分散液涂覆在襯底上即可,而不需要對襯底進行預處理,也不需要對膜進行后處理。所述膜可以應用于光電器件充當空穴傳輸層以傳輸空穴,有助于光電子器件的高性能。通過使用本發(fā)明的NiOx:電子受體納米復合材料基膜的空穴傳輸層也有助于實際光電器件的簡單且低成本的制造。
聲明:
“功函數(shù)可調(diào)的空穴傳輸材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)