本發(fā)明公開一種復(fù)合材料及其制備方法，包括：CdS納米片，所述CdS納米片表面結(jié)合有WS₂量子點和L?半胱氨酸。本發(fā)明的采用1?10nm厚度的CdS納米片可以縮短載流子傳輸路徑，從而降低了光生電子空穴對的內(nèi)部復(fù)合幾率，且1?10nm厚度的CdS納米片具有大的比表面積，增加了活性位點，有利于增強(qiáng)光催化活性；L?半胱氨酸結(jié)合在CdS納米片表面，在光照過程中會緩慢釋放出S^2?離子，可以減輕CdS納米片的光腐蝕現(xiàn)象，提高光催化穩(wěn)定性；量子點作為催化劑的材料，具有量子限制、邊緣效應(yīng)，并且量子點大的比表面積的可以提供更多的產(chǎn)氫活性位點，加速還原反應(yīng)的進(jìn)行，催化產(chǎn)氫性能會明顯提高。