本發(fā)明涉及
新材料領(lǐng)域,旨在提供一種銀/高熵羥基氧化物納米
復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明采用
電化學(xué)循環(huán)的方法制備高熵羥基氧化物納米片,并在其表面沉積銀納米粒子。在電化學(xué)循環(huán)過程中,銀箔上負(fù)載的前驅(qū)體與銀箔表面在正的電位下形成的氧化銀同時進(jìn)行溶解?沉積反應(yīng)。大部分銀離子會奪取其他元素離子的電子而還原為單質(zhì)銀,少部分銀離子則由于電子不足而仍以離子狀態(tài)存在于高熵羥基氧化物中,而最終形成銀/高熵羥基氧化物復(fù)合催化劑材料。本發(fā)明能夠提高高熵羥基氧化物中的雜化度,使得復(fù)合催化劑相比未復(fù)合催化劑具有更好的催化活性。同時能提高復(fù)合材料的整體導(dǎo)電性,實現(xiàn)導(dǎo)電能力的協(xié)同提升。
聲明:
“銀/高熵羥基氧化物納米復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)