本發(fā)明涉及一種具有碳納米線的花狀Ni/C
復合材料及其制備方法。該花狀Ni/C復合材料由碳納米線、鎳顆粒與碳基質(zhì)組成,鎳顆粒與碳基質(zhì)復合構成花狀復合材料,而碳納米線鑲嵌在該花狀復合材料表面上。在該花狀復合材料與石蠟的質(zhì)量比1:6、匹配厚度1.5mm與頻率14.48~16.08GHz的條件下,它的最小反射損耗是?36.12dB~?42.43dB,在頻率12.88~18.00GHz范圍內(nèi)有效吸收頻寬是4.48GHz,彌補了傳統(tǒng)吸波材料存在的厚、重、窄、弱的不足。
聲明:
“具有碳納米線的花狀Ni/C復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)