本發(fā)明屬于共軛聚合物以及高分子光電
功能材料的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種含鹵素原子取代噻吩基稠噻唑結(jié)構(gòu)的共軛聚合物及其應(yīng)用。本發(fā)明的含鹵素原子取代噻吩基稠噻唑結(jié)構(gòu)的共軛聚合物采用了鹵素原子和氮雜原子取代,獲得了更強(qiáng)的吸電子能力,使得聚合物具有更低的HOMO、LUMO能級(jí),有機(jī)會(huì)成為一系列高載流子遷移效率的、低HOMO能級(jí)的P?型聚合物材料,具有高強(qiáng)度剛性的共軛平面,能夠通過(guò)大π鍵的離域作用形成高度有序以及高載流子遷移速率的聚合物薄膜,不僅提升聚合物
太陽(yáng)能電池的載流子傳輸效率,還優(yōu)化電池的填充因子,可以作為有機(jī)太陽(yáng)能電池活性層的給體材料,使得太陽(yáng)能電池器件獲得較高的開(kāi)路電壓。
聲明:
“含鹵素原子取代噻吩基稠噻唑結(jié)構(gòu)的共軛聚合物及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)