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安徽黃山有色金屬真空冶金技術(shù)理論與應(yīng)用

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酸蝕內(nèi)藏臺(tái)面的硅整流圓芯片生產(chǎn)工藝

本發(fā)明公開(kāi)了一種酸蝕內(nèi)藏臺(tái)面的硅整流圓芯片生產(chǎn)工藝,屬于大功率半導(dǎo)體芯片的技術(shù)領(lǐng)域,以解決人工磨角的控制力差異導(dǎo)致芯片的質(zhì)量參差不齊,且人工手持硅片,費(fèi)時(shí)費(fèi)力,工作效率低下等問(wèn)題。該生產(chǎn)工藝包括硅片切割清洗、裝模燒結(jié)、酸洗腐蝕、涂保護(hù)膠、室溫硫化、高溫老化和檢測(cè)包裝,通過(guò)腐蝕臺(tái)面造型代替機(jī)械磨角,使磨角的角度達(dá)到最優(yōu)的45?50°,提高芯片性能,并且酸腐蝕不會(huì)在其內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力和熱損傷,不易產(chǎn)生正反兩面的崩邊、微損傷、裂痕等問(wèn)題,而且省時(shí)省力,提高工作效率,其次,通過(guò)在混合酸溶液中添加含緩釋劑的熱敏微膠囊,抑制反應(yīng)速率,并在下電極鉬片表面形成鈍化層,解決了腐蝕均勻性以及鉬片腐蝕損傷的問(wèn)題。

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壓接式二極管管芯制作方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種壓接式二極管管芯及制作方法,包括以下步驟:1)制備二極管擴(kuò)散片,2)腐蝕電壓槽,3)電壓槽淀積多晶硅膜或氮化硅膜,4)電壓槽玻璃鈍化,5)刻蝕去除不需要多晶硅膜或氮化硅保護(hù)的大部分陰極面和陽(yáng)極面區(qū)域的鈍化膜,6)芯片與鉬片的焊接,7)陰極面蒸鋁,8)陰極面鋁層選擇腐蝕,9)鋁層微合金。進(jìn)一步10)管芯陽(yáng)極面鉬片單面多層金屬化,11)電壓槽涂覆第三保護(hù)層。焊接前對(duì)芯片測(cè)試,剔除掉不合格芯片,避免了鉬片等浪費(fèi),不合格芯片鉬片經(jīng)過(guò)處理后再次利用。電壓槽采用三層保護(hù),降低管芯在高溫動(dòng)態(tài)下測(cè)試的漏電流;鉬片設(shè)置鈦鎳銀多層金屬保護(hù)防止氧化,降低了熱阻和電阻,減少功耗。

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壓接式晶閘管管芯及制作方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種壓接式晶閘管管芯及制作方法,包括以下步驟:1)制備晶閘管擴(kuò)散片,2)腐蝕電壓槽,3)電壓槽淀積多晶硅膜或氮化硅膜,4)電壓槽玻璃鈍化,5)刻蝕去除不需要多晶硅膜或氮化硅保護(hù)的大部分陰極面和陽(yáng)極面區(qū)域的鈍化膜,6)芯片與鉬片的焊接,7)陰極面蒸鋁,8)陰極面鋁層選擇腐蝕,9)鋁層微合金。進(jìn)一步10)管芯陽(yáng)極面鉬片單面多層金屬化,11)電壓槽涂覆第三保護(hù)層。焊接前對(duì)芯片測(cè)試,剔除掉不合格芯片,避免了鉬片等浪費(fèi),不合格芯片鉬片經(jīng)過(guò)處理后再次利用。電壓槽采用三層保護(hù),降低管芯在高溫動(dòng)態(tài)下測(cè)試的漏電流;鉬片鈦鎳銀多層金屬保護(hù)防止氧化,降低了熱阻和電阻,減少功耗。

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汽車(chē)用雪崩二極管的制造方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種汽車(chē)用雪崩二極管的制造方法,包括如下步驟:步驟(1)裝填與燒結(jié)、步驟(2)堿洗與清洗、步驟(3)烘干、步驟(4)打膠、步驟(5)膠高溫固化、步驟(6)一次測(cè)試、步驟(7)灌封、步驟(8)灌封膠固化、步驟(9)二次測(cè)試、步驟(10)、將經(jīng)二次測(cè)試判定合格的產(chǎn)品進(jìn)行激光打標(biāo)。本發(fā)明采用一次焊接成型工藝的雪崩二極管具備良好的高溫特性、苛刻的熱疲勞能力、高的反向浪涌能力,有效解決了現(xiàn)有汽車(chē)用雪崩二極管的制備方法不夠合理,造成的雪崩二極管各方面的性能較差,同時(shí)采用堿洗工藝有效解決了環(huán)保污水后期處理工序繁瑣以及費(fèi)用成本較高的問(wèn)題。

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焊接式硅芯片高絕緣臺(tái)面鈍化保護(hù)工藝

本發(fā)明公開(kāi)了一種焊接式硅芯片高絕緣臺(tái)面鈍化保護(hù)工藝,包括以下步驟:硅單晶片切割、單晶片磨角、真空燒結(jié)、酸腐蝕、涂敷聚酰亞胺、真空排泡、階梯烘烤、清洗形成鈍化保護(hù)芯片、涂覆GD?406藍(lán)色硅橡膠、真空排泡、室溫硫化化、高溫固化、檢測(cè)、真空包裝出廠。本發(fā)明通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)芯片制造工藝的改進(jìn),通過(guò)PI膠的應(yīng)用對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行鈍化和雙層致密保護(hù),并可有效地俘獲PN結(jié)臺(tái)面可移動(dòng)電荷,降低了芯片的IRRM,提高了芯片抗擊穿能力和綜合電性能,解決了粘附性、熱膨脹、機(jī)械應(yīng)力及氣孔等技術(shù)問(wèn)題,從而得到一種保護(hù)致密、耐高壓、耐溫范圍廣、高性?xún)r(jià)比、高可靠性的高壓功率半導(dǎo)體模塊芯片,有效提高產(chǎn)品的可靠性和良品率,值得推廣和使用。

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高可靠性高壓功率半導(dǎo)體模塊芯片的制造工藝

本發(fā)明涉及一種高可靠性高壓功率半導(dǎo)體模塊芯片的制造工藝,整個(gè)制造工藝流程包括:磷擴(kuò)散、硼擴(kuò)散、蒸鍍鈦鎳銀合金、線切割、磨角、真空燒結(jié)、酸腐蝕、雙層膠體聯(lián)合保護(hù)、室溫硫化、高溫固化、檢測(cè)包裝。其中雙層膠體聯(lián)合保護(hù)如圖所示,是先將聚酰亞胺(PI)膠(圖中41)均勻涂敷于芯片臺(tái)面,形成致密保護(hù)層,再使用自主研發(fā)的自動(dòng)涂膠工裝夾具,批量涂敷深藍(lán)色硅橡膠(圖中42)。本發(fā)明結(jié)合了GPP方片和OJ圓片兩種工藝的優(yōu)點(diǎn),對(duì)現(xiàn)有功率半導(dǎo)體模塊芯片的制造工藝進(jìn)行改進(jìn),有效阻止電子遷移,減小芯片高常溫漏電流,致密結(jié)構(gòu)極有利于后續(xù)的模塊封裝和儲(chǔ)存,有效提高產(chǎn)品的可靠性和良品率。

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普通電力整流二極管芯片的生產(chǎn)工藝

一種普通電力整流二極管芯片的整套生產(chǎn)工藝流程,從開(kāi)始到結(jié)束,整個(gè)生產(chǎn)工藝流程包括:線切割,清洗,真空燒結(jié),真空蒸鍍及真空微合金,黑膠保護(hù),磨角,酸腐蝕,膠體保護(hù),室溫硫化,高溫固化,檢測(cè)包裝。其中清洗以后的單晶硅片,按照以下多層結(jié)構(gòu),從下至上依次為:鉬片、鋁箔、單晶硅片,在燒結(jié)爐中進(jìn)行真空燒結(jié),后將鋁膜蒸鍍到整個(gè)單晶硅片上;所述磨角采用多角度搭配研磨工藝。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:制造出一種新結(jié)構(gòu)的芯片,且突破了傳統(tǒng)的電力整流管芯片臺(tái)面單一角度的臺(tái)面造型模式。多角度搭配研磨工藝新應(yīng)用技術(shù)的出現(xiàn),使得芯片臺(tái)面具有更加完美的多角度臺(tái)面造型。有效提高了電力整流管芯片承載更高工作電壓的能力。

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環(huán)保螺栓型電力電子整流芯片成型工藝

本發(fā)明公開(kāi)了一種環(huán)保螺栓型電力電子整流芯片成型工藝,包括以下步驟:(1)、準(zhǔn)備多個(gè)錫銅合金焊片和鉛錫合金焊片,錫銅合金焊片中錫的重量百分比為96%~98%,銅的重量百分比為4%~2%;(2)、按順序向石墨燒結(jié)模具??字醒b入錫銅合金焊片、鉛錫合金焊片、陰極鉬片、硅質(zhì)整流芯片、陽(yáng)極鉬片;(3)、將多個(gè)石墨燒結(jié)模具送入臥式真空燒結(jié)爐的真空室中;(4)、利用臥式真空燒結(jié)爐燒結(jié)成型。本發(fā)明用錫銅(97:3)合金取代鉛錫(95:5)合金材料作整流芯片產(chǎn)品的陰、陽(yáng)極表面助焊層,大幅提升了產(chǎn)品的環(huán)保指數(shù),又?jǐn)U大了產(chǎn)品的應(yīng)用市場(chǎng),同時(shí)大幅提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)效率,還避免了傳統(tǒng)的“搪鉛”工藝有礙健康現(xiàn)象的發(fā)生。

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橋式整流橋的真空焊接方法

本發(fā)明提供一種橋式整流橋的真空焊接方法,包括下述步驟:將已放進(jìn)上下模之間的待焊接的整流橋放進(jìn)三工位真空燒結(jié)爐;保證三工位真空燒結(jié)爐的真空棒一直工作,真空棒一直工作也就是真空棒反復(fù)在三工位真空燒結(jié)爐中做往返活塞運(yùn)動(dòng),攪動(dòng)三工位真空燒結(jié)爐內(nèi)部,使熱傳導(dǎo);使三工位真空燒結(jié)爐內(nèi)的溫度保持在3500至4000之間的時(shí)間為28min到31min之間;完成焊接,取出,打開(kāi)上模常溫冷卻。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:不需要氮?dú)獗Wo(hù),因此,焊接時(shí)沒(méi)有廢氣排放,環(huán)保安全;保證焊接點(diǎn)焊接牢靠,并且焊面氣泡減少98%;焊接效率高;用電節(jié)約50%以上。

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真空燒結(jié)爐用運(yùn)輸上料裝置

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種真空燒結(jié)爐用運(yùn)輸上料裝置,包括箱體底座和密封罩,所述箱體底座的上端外表面中部位置固定安裝有加熱箱,所述密封罩活動(dòng)安裝在箱體底座的上端外表面靠近加熱箱的一側(cè),所述密封罩的一端中部位置固定安裝有送料柱,且送料柱的側(cè)邊外表面固定安裝有限位卡環(huán),所述送料柱的內(nèi)側(cè)活動(dòng)套接有置物架,所述置物架的內(nèi)側(cè)中部位置活動(dòng)安裝有收納板,所述置物架和收納板之間設(shè)置有兩組彈性卡柱,所述置物架的側(cè)邊外表面開(kāi)設(shè)有插槽,所述密封罩的下端外表面固定安裝有推拉板;利用推拉板和送料柱的設(shè)置,使得該真空燒結(jié)爐用運(yùn)輸上料裝置具有分體式送料結(jié)構(gòu),令其上料操作更加便捷。

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重慶理工大學(xué)
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