PECVD帶尾氣處理裝置 184     

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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應(yīng)生成含有氣態(tài)物質(zhì)的薄膜的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)。該系統(tǒng)由高功率射頻電源、真空系統(tǒng)、管式爐組成，配備噴淋塔、活性炭箱，滿足尾氣處理的需要。該設(shè)備是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性

CVD管式爐 350     

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該CVD管式爐適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、材料的氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。主要用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實(shí)驗(yàn)與生產(chǎn)。

1100度CVD管式爐 188     

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這款CVD管式爐廣泛用于樣品在真空和氣氛條件下的燒結(jié)、涂層、納米管研究、釬焊、退火等實(shí)驗(yàn)，適用于高校、研究機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室和工礦企業(yè)進(jìn)行CVD工藝的科研和實(shí)驗(yàn)。

自動(dòng)壓力控制CVD管式爐 181     

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主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等工業(yè)真空燒結(jié)、保護(hù)氣氛燒結(jié)、CVD實(shí)驗(yàn)、真空沉積、材料成分測(cè)定場(chǎng)合。

三溫區(qū)CVD管式爐 159     

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該設(shè)備適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。主要用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實(shí)驗(yàn)與生產(chǎn)。

LCD觸摸屏CVD高溫爐 180     

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這款CVD爐可用于碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 241     

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適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

PECVD旋轉(zhuǎn)管式爐 463     

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適用于粉體材料的表面薄膜沉積，在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

管式PECVD等離子氣相沉積系統(tǒng) 180     

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PECVD等離子氣相沉積設(shè)備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)主要用于金屬粉末鍍膜。

兩通道CVD系統(tǒng) 189     

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本CVD系統(tǒng)帶水冷法蘭雙路流量計(jì)并配有雙極旋片泵、水冷機(jī)、數(shù)字真空計(jì)且該CVD系統(tǒng)可抽真空、通氣氛，該設(shè)備適用于各種CVD實(shí)驗(yàn)。

CVD 化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 355     

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CVD 管式爐系統(tǒng)由：管式爐加熱區(qū)系統(tǒng)，質(zhì)子流量計(jì)供氣系統(tǒng)，真空系統(tǒng)和氣體定量系統(tǒng)組成。適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO 納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

六通道PECVD設(shè)備 182     

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該pecvd設(shè)備是由管式爐真空泵和六通道質(zhì)量流量計(jì)氣體流動(dòng)系統(tǒng)組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴(kuò)散。

高溫CVD系統(tǒng) 177     

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主要用于真空或氣氛燒結(jié)、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實(shí)驗(yàn)環(huán)境。適用于大學(xué)，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行氣相沉積相關(guān)的實(shí)驗(yàn)與生產(chǎn)。

三溫區(qū)CVD系統(tǒng) 172     

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此款多溫區(qū)CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質(zhì)量流量計(jì)、低真空機(jī)組以及1200度高溫管式爐組成。該CVD化學(xué)沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。

卷對(duì)卷PECVD設(shè)備 245     

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整套體系可在真空/氣氛保護(hù)環(huán)境下工作。 收放卷機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)速?gòu)?~400mm/min可調(diào),機(jī)構(gòu)采用反饋調(diào)節(jié)，可自動(dòng)糾正轉(zhuǎn)速偏差，保證樣品的速度穩(wěn)定不走樣。

PECVD系統(tǒng) 276     

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適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無(wú)損傷鈍化膜的沉積。

1200℃PECVD系統(tǒng) 372     

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該P(yáng)ECVD管式爐度范圍寬；濺射區(qū)域長(zhǎng)；整管可調(diào)；精致小巧，性價(jià)比高，可實(shí)現(xiàn)快速升降溫，是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的理想選擇，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。

3通道CVD設(shè)備 374     

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此款CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

雙爐體CVD設(shè)備 374     

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該雙爐體CVD系統(tǒng)為定制款，適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

三溫區(qū)CVD設(shè)備 373     

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此款三溫區(qū)CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

高溫化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)/cvd鍍膜 247     

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主要用于TaC、HfC等物料及其復(fù)合碳化物等超高熔點(diǎn)涂層化學(xué)氣相沉積制備工藝研究。

滑道式PECVD系統(tǒng) 195     

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滑道式PECVD系統(tǒng)由PT-1200T管式爐加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、質(zhì)量流量計(jì)供氣系統(tǒng)、等離子射頻電源系統(tǒng)組成。廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等。

高真空PECVD設(shè)備 272     

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廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

立式PECVD設(shè)備 239     

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廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長(zhǎng)，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無(wú)定型硅(a-Si:H) 等。

1200℃石墨烯生長(zhǎng)爐 148     

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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生長(zhǎng)爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)，廣泛應(yīng)用在新一代能源關(guān)于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長(zhǎng)。

1200℃高溫真空CVD設(shè)備 179     

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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高溫真空CVD設(shè)備由KJ-T1200滑動(dòng)式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成 ，最高溫度可以達(dá)到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達(dá)到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調(diào)節(jié)可以是質(zhì)子流量計(jì)或浮子流量計(jì)，混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合，可以對(duì)多種氣體進(jìn)行準(zhǔn)確的混氣，然后導(dǎo)入到管式爐內(nèi)部。爐管兩端安裝真空法蘭，可以通過(guò)選配真空泵組來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的真空度。爐底安裝一對(duì)滑軌，可用手動(dòng)滑動(dòng)。為取得最快加熱，可以預(yù)先加熱爐子到設(shè)定的溫度，然后移動(dòng)爐子到樣品位置。

1200度三溫區(qū)CVD管式爐 181     

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該系統(tǒng)廣泛用于各種反應(yīng)溫度在1100℃左右的CVD實(shí)驗(yàn)，如半導(dǎo)體工業(yè)中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD實(shí)驗(yàn)、真空退火用的理想產(chǎn)品。

小型CVD管式爐 358     

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KJ-T1200-S50-3Z迷你型CVD管式爐，是一款通過(guò)CE認(rèn)證的可開(kāi)啟式管式爐，能使樣品加熱到1200℃。配有三路質(zhì)量流量計(jì)混氣氣路，配有真空泵真空可達(dá)10pa，準(zhǔn)確的PID程序多段程序控溫，本系列高溫CVD設(shè)備適用于高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)、氣氛還原、CVD實(shí)驗(yàn)、真空退火等試驗(yàn)。

混氣管式PECVD系統(tǒng) 177     

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該設(shè)備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高端裝飾等領(lǐng)域。

箱式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 211     

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箱式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)采用爐體和智能控制一體化設(shè)計(jì)，整個(gè)爐體美觀、大方。PID可編程序智能控溫，移相觸發(fā)，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風(fēng)冷循環(huán)系統(tǒng)，爐門底部升降，節(jié)能安全?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積薄膜材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。