PECVD帶尾氣處理裝置 184     

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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應生成含有氣態(tài)物質的薄膜的薄膜生長技術。該系統(tǒng)由高功率射頻電源、真空系統(tǒng)、管式爐組成，配備噴淋塔、活性炭箱，滿足尾氣處理的需要。該設備是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性

CVD管式爐 350     

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該CVD管式爐適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、材料的氣氛燒結等實驗。主要用于大學，研究中心和生產企業(yè)進行氣相沉積相關的實驗與生產。

1100度CVD管式爐 188     

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這款CVD管式爐廣泛用于樣品在真空和氣氛條件下的燒結、涂層、納米管研究、釬焊、退火等實驗，適用于高校、研究機構實驗室和工礦企業(yè)進行CVD工藝的科研和實驗。

自動壓力控制CVD管式爐 181     

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主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等工業(yè)真空燒結、保護氣氛燒結、CVD實驗、真空沉積、材料成分測定場合。

三溫區(qū)CVD管式爐 159     

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該設備適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。主要用于大學，研究中心和生產企業(yè)進行氣相沉積相關的實驗與生產。

LCD觸摸屏CVD高溫爐 180     

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這款CVD爐可用于碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

化學氣相沉積系統(tǒng) 241     

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適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

PECVD旋轉管式爐 462     

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適用于粉體材料的表面薄膜沉積，在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用。

管式PECVD等離子氣相沉積系統(tǒng) 180     

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PECVD等離子氣相沉積設備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)主要用于金屬粉末鍍膜。

兩通道CVD系統(tǒng) 189     

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本CVD系統(tǒng)帶水冷法蘭雙路流量計并配有雙極旋片泵、水冷機、數字真空計且該CVD系統(tǒng)可抽真空、通氣氛，該設備適用于各種CVD實驗。

CVD 化學氣相沉積系統(tǒng) 354     

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CVD 管式爐系統(tǒng)由：管式爐加熱區(qū)系統(tǒng)，質子流量計供氣系統(tǒng)，真空系統(tǒng)和氣體定量系統(tǒng)組成。適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導電率測試、ZnO 納米結構的可控生長、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結等實驗。

六通道PECVD設備 182     

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該pecvd設備是由管式爐真空泵和六通道質量流量計氣體流動系統(tǒng)組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴散。

高溫CVD系統(tǒng) 177     

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主要用于真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環(huán)境。適用于大學，研究中心和生產企業(yè)進行氣相沉積相關的實驗與生產。

三溫區(qū)CVD系統(tǒng) 172     

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此款多溫區(qū)CVD系統(tǒng)是由多通道高精度的質量流量計、低真空機組以及1200度高溫管式爐組成。該CVD化學沉積系統(tǒng)廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領域。

卷對卷PECVD設備 245     

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整套體系可在真空/氣氛保護環(huán)境下工作。 收放卷機構轉速從1~400mm/min可調,機構采用反饋調節(jié)，可自動糾正轉速偏差，保證樣品的速度穩(wěn)定不走樣。

PECVD系統(tǒng) 276     

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適用于室溫至1200℃條件下進行SiO2、SiNx薄膜的沉積，同時可實現TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機材料上高效保護層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。

1200℃PECVD系統(tǒng) 371     

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該PECVD管式爐度范圍寬；濺射區(qū)域長；整管可調；精致小巧，性價比高，可實現快速升降溫，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

3通道CVD設備 374     

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此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

雙爐體CVD設備 374     

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該雙爐體CVD系統(tǒng)為定制款，適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

三溫區(qū)CVD設備 373     

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此款三溫區(qū)CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

高溫化學氣相沉積系統(tǒng)/cvd鍍膜 246     

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主要用于TaC、HfC等物料及其復合碳化物等超高熔點涂層化學氣相沉積制備工藝研究。

滑道式PECVD系統(tǒng) 195     

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滑道式PECVD系統(tǒng)由PT-1200T管式爐加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、質量流量計供氣系統(tǒng)、等離子射頻電源系統(tǒng)組成。廣泛應用于沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等。

高真空PECVD設備 272     

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廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

立式PECVD設備 239     

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廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。

1200℃石墨烯生長爐 148     

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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。

1200℃高溫真空CVD設備 179     

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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成 ，最高溫度可以達到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調節(jié)可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合，可以對多種氣體進行準確的混氣，然后導入到管式爐內部。爐管兩端安裝真空法蘭，可以通過選配真空泵組來實現更高的真空度。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。

1200度三溫區(qū)CVD管式爐 181     

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該系統(tǒng)廣泛用于各種反應溫度在1100℃左右的CVD實驗，如半導體工業(yè)中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。是高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火用的理想產品。

小型CVD管式爐 358     

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KJ-T1200-S50-3Z迷你型CVD管式爐，是一款通過CE認證的可開啟式管式爐，能使樣品加熱到1200℃。配有三路質量流量計混氣氣路，配有真空泵真空可達10pa，準確的PID程序多段程序控溫，本系列高溫CVD設備適用于高校、科研院所、工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火等試驗。

混氣管式PECVD系統(tǒng) 177     

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該設備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高端裝飾等領域。

電子布氏硬度計 114     

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電子布氏硬度計DHB-3000是一款基于電子加載與自動測量技術的高精度硬度檢測設備，專為金屬材料布氏硬度測試設計。設備采用閉環(huán)控制系統(tǒng)與智能壓痕測量算法，支持大載荷（3000kgf）檢測，可高效完成厚試樣或高硬度材料的硬度測定，適用于工業(yè)現場、實驗室及第三方檢測機構，是質量控制與材料性能評估的理想工具。