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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應(yīng)生成含有氣態(tài)物質(zhì)的薄膜的薄膜生長技術(shù)。該系統(tǒng)由高功率射頻電源、真空系統(tǒng)、管式爐組成，配備噴淋塔、活性炭箱，滿足尾氣處理的需要。該設(shè)備是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性
適用于粉體材料的表面薄膜沉積，在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。
PECVD等離子氣相沉積設(shè)備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)主要用于金屬粉末鍍膜。
該pecvd設(shè)備是由管式爐真空泵和六通道質(zhì)量流量計氣體流動系統(tǒng)組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴(kuò)散。
河南 - 鄭州
2025年05月09日 ~ 11日
