用于輻射吸收和檢測的
半導體材料,其包括化學計量Li(M12+,M22+,M32+,...)(G1V,G2V,G3V,...)的并且顯示出反螢石型排序的組成,其中Li=1,(M12++M22++M32++...)=1,和(G1V+G2V+G3V+...)=1。該材料提供了兩個有用的特性:[1]高Li-位點密度,其當富集于6Li時,產(chǎn)生了異常的中子-吸收能力,和[2]用于有效地將所吸收的光子和中子能量轉(zhuǎn)化為電流的半導能帶隙。這些特性可在發(fā)電或γ和中子輻射的光譜檢測的應用中被利用。該材料可以被定制以便僅僅檢測γ光子,僅僅檢測中子粒子,或同時檢測γ光子和中子粒子。
聲明:
“用于輻射吸收和檢測的半導體材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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