本發(fā)明提供了一種利用焦耳熱制備單質硅的方法,屬于鋰離子電池
負極材料制備技術領域。本發(fā)明利用焦耳熱制備單質硅,焦耳熱具有快速升溫,快速加熱的優(yōu)點,并且能夠保證加熱的均一性,因此,本發(fā)明可快速制備單質硅。本發(fā)明得到第一粗硅后,將所述第一粗硅升溫至1100~1300℃進行第二保溫,可以實現(xiàn)副產(chǎn)物硅化鎂分解,實現(xiàn)粗硅的第一次提純,然后升溫至1500~2000℃可以實現(xiàn)鎂的快速蒸發(fā),實現(xiàn)二次提純,因此,本發(fā)明制備的單質硅具有較高的純度,不存在后處理不安全的問題。
聲明:
“利用焦耳熱制備單質硅的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)